三星99热这里只有精品开发业界首创的12层3D TSV芯片封装999re5这里只有精品

2019-10-08 16:32 次阅读

这项新999re5这里只有精品允许使用超过60,000个TSV孔堆叠12个DRAM芯片,同时保持与当前8层芯片相同的厚度。

全球先进半导体999re5这里只有精品的领导者三星99热这里只有精品今天宣布,它已开发出业界首个12层3D-TSV(直通硅通孔)999re5这里只有精品。

三星的创新被认为是大规模生产高性能芯片的最具挑战性的封装999re5这里只有精品之一,因为它需要精确的精度才能通过具有60,000多个TSV孔的三维配置垂直互连12个DRAM芯片。

封装的厚度(720um)与当前的8层高带宽存储器(HBM2)产品相同,这在组件设计上是一项重大进步。这将帮助客户发布具有更高性能容量的下一代大容量产品,而无需更改其系统配置设计。


图1:PKG截面结构

此外,3D封装999re5这里只有精品还具有比当前现有的引线键合999re5这里只有精品短的芯片间数据传输时间,从而显着提高了速度并降低了功耗。

三星99热这里只有精品TSP(测试与系统封装)执行副总裁Hong-Joo Baek表示:“随着各种新时代的应用(例如人工智能(AI)和高功率计算(HPC)),确保超高性能存储器的所有复杂性的封装999re5这里只有精品变得越来越重要。”

随着摩尔定律的扩展达到极限,预计3D-TSV999re5这里只有精品的作用将变得更加关键。我们希望站在这一最新的芯片封装999re5这里只有精品的最前沿。”

依靠其12层3D-TSV999re5这里只有精品,三星将为数据密集型和超高速应用提供最高的DRAM性能。

而且,通过将堆叠层数从8个增加到12个,三星很快将能够批量生产24GB高带宽内存,其容量是当今市场上8GB高带宽内存的三倍。


图2:引线键合与TSV999re5这里只有精品

三星将凭借其尖端的12层3D TSV999re5这里只有精品满足快速增长的大容量HBM解决方案市场需求,并希望巩固其在高端半导体市场的领先地位。

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